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    Muller+Ziegler變送器傳感器IgT-MU光耦合器隔離技術(shù)

    發(fā)布時間: 2025-11-26  點擊次數(shù): 264次

    Muller+Ziegler變送器傳感器IgT-MU光耦合器隔離技術(shù)

    輸出端負載能力達500Ω(電流輸出)與10mA(電壓輸出),可直接驅(qū)動后續(xù)控制模塊沈陽漢達森yyds吳亞男。

    工業(yè)信號轉(zhuǎn)換的技術(shù)

    在工業(yè)自動化領(lǐng)域,信號轉(zhuǎn)換與傳輸?shù)木戎苯佑绊懺O備運行的穩(wěn)定性與生產(chǎn)效率。

    作為德國百年企業(yè)Müller+Ziegler的旗艦產(chǎn)品,IgT-MU直流電流變送器憑借其高精度、抗干擾能力與模塊化設計,成為工業(yè)信號處理領(lǐng)域的品牌。

    Müller+Ziegler型號

    IgT-MU

    SW 6010 1500/1 A

    EQX 96 0-60/120/5 A

    EQX 96 0-80/160/5 A

    SW 3010 60/5 A

    SW 3010 80/5 A

    SW 3010, Nr. 54011

    本文將從技術(shù)原理、核心優(yōu)勢及行業(yè)應用三方面,解析這款產(chǎn)品的技術(shù)價值。

    技術(shù)原理:預致密結(jié)構(gòu)與光耦合隔離的雙重突破

    膨脹預致密PTFE材料的應用

    IgT-MU的核心傳感器采用膨脹預致密純原生聚四氟乙烯(e-PTFE)材料,通過定向拉伸與熱處理工藝,使分子鏈形成高度有序的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。

    這種結(jié)構(gòu)使材料初始密度提升至1.0g/cm3,較傳統(tǒng)PTFE提升30%以上,顯著增強了抗蠕變性能。

    在高壓或溫度波動場景下,材料變形率低于5%,確保長期使用中信號傳輸?shù)姆€(wěn)定性。

    光耦合器隔離技術(shù)

    為解決工業(yè)現(xiàn)場電磁干擾問題,IgT-MU采用光耦合器實現(xiàn)輸入與輸出的電氣隔離。

    輸入側(cè)的直流電流信號驅(qū)動發(fā)光二極管(LED)發(fā)出光信號,通過光隔離層傳輸至輸出側(cè)的光敏三極管,完成信號轉(zhuǎn)換。這一過程有效阻斷了400A/m的外部磁場干擾,即使在強電磁環(huán)境中(如變頻器、電焊機附近),信號紋波仍可控制在15mVss以內(nèi),滿足高精度控制需求。

    雙輸出校準與極性支持

    IgT-MU配備雙路獨立輸出通道,支持0-20mA/0-10V與4-20mA/2-10V兩種信號標準切換,用戶可通過正面旋鈕快速調(diào)整。

    其極性傳輸范圍覆蓋-20mA至+20mA或-10V至+10V,適配雙向電流監(jiān)測場景(如電機正反轉(zhuǎn)控制)。

    Muller+Ziegler變送器傳感器IgT-MU光耦合器隔離技術(shù)


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